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J-GLOBAL ID：201802288664505185   整理番号：18A1129478

Sb_2Se_3ナノロッドの合成のための新規単一源前駆体とAACVDによる薄膜の堆積:水還元触媒のための光電気化学的研究【JST・京大機械翻訳】

Novel single source precursor for synthesis of Sb₂Se₃ nanorods and deposition of thin films by AACVD: Photo-electrochemical study for water reduction catalysis

著者 (10件)： Khan Malik Dilshad (Department of Chemistry, University of Zululand, Private bag X1001, Kwa-Dlangezwa 3880, South Africa) ,  Khan Malik Dilshad (School of Materials, The University of Manchester, Oxford Road, Manchester M13 9PL, UK) ,  Aamir Muhammad (Department of Chemistry, University of Zululand, Private bag X1001, Kwa-Dlangezwa 3880, South Africa) ,  Aamir Muhammad (Department of Chemistry, Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan) ,  Sohail Manzar (Center of Research Excellence in Nanotechnology, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Dhahran 31261, Saudi Arabia) ,  Sher Muhammad (Department of Chemistry, Allama Iqbal Open University, Islamabad, Pakistan) ,  Akhtar Javeed (Department of Chemistry, The Mirpur University of Science & Technology (MUST), Allama Iqbal Road, Mirpur, AJK, Pakistan) ,  Malik Mohammad Azad (Department of Chemistry, University of Zululand, Private bag X1001, Kwa-Dlangezwa 3880, South Africa) ,  Malik Mohammad Azad (School of Materials, The University of Manchester, Oxford Road, Manchester M13 9PL, UK) ,  Revaprasadu Neerish (Department of Chemistry, University of Zululand, Private bag X1001, Kwa-Dlangezwa 3880, South Africa)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 169  ページ： 526-534  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい錯体,トリス(selenobenzoato)アンチモン(III)を簡単な経路で合成し,単結晶X線結晶学により構造を決定した。この錯体を単一源前駆体として用いて,高温注入法によりSb_2Se_3ナノロッドを合成し,一方,Sb_2Se_3薄膜をエーロゾル支援化学蒸着(AACVD)技術によりガラス基板上に堆積した。合成したナノロッドと薄膜を粉末X線回折,電子顕微鏡,Raman及びUV/Vis分光法により特性化した。複合体のAACVDは400~500°Cの間で高度に結晶性で純粋なSb_2Se_3薄膜を生成した。Sb_2Se_3微結晶の形状は一般的にワイヤまたは薄板の形であり,時には全基板上に均一に広がった葉状構造を形成する。それらの化学量論を有するこれらの結晶子のサイズと形状は堆積温度に依存することが分かった。Sb_2Se_3ナノロッドを光電気化学(PEC)水還元触媒反応に対して試験した。模擬太陽光をSb_2Se_3/FTO表面に照射したとき,陰極光電流がH_2発生のために発生した。Sb_2Se_3/FTO電極で発生した開回路電位(OCP)光陰極電流では,-44.8~-52.1μA cm-2の範囲であった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微結晶 ,  電極電位 ,  キャラクタリゼーション ,  スペクトロスコピー ,  複合体 ,  錯体 ,  *ナノロッド ,  *前駆体 ,  薄板 ,  エアロゾル ,  結晶 ,  *薄膜 ,  単結晶 ,  金属線
準シソーラス用語： 粉末X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AACVD ,  ナノロッド ,  Sb_2Se_3 ,  薄膜 ,  水分解

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノロッド ,  前駆体 ,  薄膜 ,  堆積 ,  水 ,  還元触媒 ,  光電気化学 ,  研究