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J-GLOBAL ID：201802288777239161   整理番号：18A1317039

高閾値電圧と超低ゲート漏れ電流を有する400VゲートAlGaN/GaN金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

400 V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current

著者 (5件)： Zhao Yongbing (中国科学院半導体研究所 北京 100083;中国科学院大学 北京 100049) ,  Cheng Zhe (中国科学院半導体研究所 北京 100083) ,  Zhang Yun (中国科学院半導体研究所 北京 100083) ,  Yi Xiaoyan (中国科学院半導体研究所 北京 100083) ,  Wang Guohong (中国科学院半導体研究所 北京 100083)
資料名： Diangong Jishu Xuebao  (Diangong Jishu Xuebao)
巻： 33  号： 7  ページ： 1472-1477  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2502A  ISSN： 1000-6753  CODEN： DIJXE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)を,ICPドライエッチング技術で製作した。40nmのAl2O3ゲート誘電体の堆積を,原子層堆積(ALD)によって達成し,そして,AlGaN/GaNMOS-HEMTの閾値電圧は,+4.3Vであった。ゲート電圧Vgs=+10Vにおいて,セルゲート型AlGaN/GaNMOS-HEMTの飽和電流が0.71A,特性オン抵抗が5.73m?・cm2.ゲート電圧Vgs=0Vの時、デバイスの破壊電圧は400V、オフ電流が320μA、デバイスのオンオフ電流比が109を超えた。ゲート電圧が-20Vのとき,AlGaN/GaNMOS-HEMTのゲート漏れ電流は1.8nAであった。高ターンオン電流比と低ゲート漏れ電流はAl2O3/GaN界面の良好な品質を示した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ターンオン ,  ドライエッチング ,  *HEMT ,  ゲート絶縁膜 ,  界面 ,  オン抵抗 ,  *電流 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： オフ電流 ,  絶縁破壊電圧 ,  飽和電流 ,  ゲート電圧 ,  *AlGaN/GaN ,  *ゲート漏れ電流 ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN ,  high threshold voltage ,  large gate swing ,  normally-off

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 閾値電圧 ,  ゲート漏れ電流 ,  ゲート ,  AlGaN ,  GaN ,  金属酸化物半導体 ,  高電子移動度トランジスタ