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J-GLOBAL ID：201802288881575056   整理番号：18A1575737

NiOが正孔輸送層の量子ドット発光ダイオードとその性能【JST・京大機械翻訳】

Properties of Quantum Dot Light Emitting Diode Using NiO as Hole Transport Layer

著者 (4件)： Guo Qiling (華南理工大学材料科学与工程学院,广州510641;中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点実験室,广州510640) ,  Li Jingling (中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点実験室,广州,510640) ,  He Xinhua (華南理工大学材料科学与工程学院,广州,510641) ,  Xu Xueqing (中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点実験室,广州,510640)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 47  号： 3  ページ： 556-563  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： NiOナノ結晶を溶液法により調製し,XRD,TEM,UPSにより特性化し,ITO/NiO/PVK/QDs/ZnO/Ag量子ドット発光ダイオード(QLED)に適用した。XPSテストは,UVオゾン処理がNiO格子の内部のNi3+イオンの生成を誘導でき,Ni3イオンの含有量が増加し,均一なNiO膜が,数回のスピンコーティングと数回のUVオゾン処理の組合せによって,得られることを示した。研究結果は,以下を示した。スピンコートNiOの数が増加すると,デバイス性能は徐々に改善され,4回のスピンコート後に,最適発光強度は184cd/m2から4775cd/m2に増加し,最大電流効率は0.54cd/Aであった。最大外部量子効率は0.22%であり,非改良単層NiOベースQLEDと比較して50倍増加した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピンコーティング ,  キャラクタリゼーション ,  ナノ結晶 ,  *量子ドット ,  X線回折 ,  *発光ダイオード ,  単一層 ,  電流効率 ,  オゾン処理
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  発光強度 ,  *正孔輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： nickel oxide ,  solution method ,  hole transport layer ,  quantum dot light emitting diode (QLED)

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 正孔輸送層 ,  量子ドット ,  発光ダイオード