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J-GLOBAL ID：201802288929483091   整理番号：18A1773605

異なる寄生抵抗と外部バイアス条件のためのナノHEMTの計算【JST・京大機械翻訳】

Calculating Transconductance of Nano-HEMT for Different Parasitic Resistances and External Biasing Conditions

著者 (3件)： Saha Gourab (Dept of Electronics and Comm. Engg, RCC Institute of Information Technology, Kolkata, INDIA) ,  Sen Biplab (Dept of Electronics and Comm. Engg, RCC Institute of Information Technology, Kolkata, INDIA) ,  Deyasi Arpan (Dept of Electronics and Comm. Engg, RCC Institute of Information Technology, Kolkata, INDIA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IEMENTech  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電子移動度トランジスタの相互コンダクタンスを,ナノメートル次元の適切な境界条件に従うPoisson方程式とキャリア密度方程式を同時に解くことにより解析的に計算した。デバイス相互コンダクタンスが計算される低バイアス領域に対して,静的および移動特性を得た。デバイス相互コンダクタンスに及ぼす効果を解析するために,外部バイアス,素子のしきい値電圧,ソースとドレイン抵抗を考慮した。相互コンダクタンスプロットのピークはより低いVGSで得られ,減少する性質は垂直バイアスの増加と共に見られた。結果は,ナノ電子回路の増幅器としてデバイスを使用するのに適している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 増幅器 ,  電子回路 ,  Poisson方程式 ,  境界条件 ,  キャリア密度 ,  *バイアス ,  相互コンダクタンス ,  *HEMT
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  *寄生抵抗 ,  ドレイン抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 寄生抵抗 ,  バイアス ,  HEMT ,  計算