文献

J-GLOBAL ID：201802288948654923   整理番号：18A0968758

MeV/c2暗黒物質の直接検出のためのn型GaAsの低温シンチレーション特性【JST・京大機械翻訳】

Cryogenic scintillation properties of n-type GaAs for the direct detection of MeV/c² dark matter

著者 (4件)： Derenzo S. (Molecular Biophysics and Integrated Bioimaging Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA) ,  Bourret E. (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA) ,  Hanrahan S. (Molecular Biophysics and Integrated Bioimaging Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA) ,  Bizarri G. (Molecular Biophysics and Integrated Bioimaging Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, California 94720, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 11  ページ： 114501-114501-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,十分に探査されていないMeV/c~2質量範囲における相互作用する暗黒物質(DM)粒子からの電子反跳の検出のための低温シンチレーション放射検出器としてのn型GaAsの最初の報告である。2つの商用供給者からの7つのGaAsサンプルと異なるシリコンとホウ素濃度を,それらの低温光学とシンチレーション特性のために研究した。全ての試料は低温でもn型であり,1.33eV(930nm)にピークをもつシリコンドナーとホウ素アクセプタ間の発光を示した。最低励起バンドは1.44eV(860nm)でピークを示し,発光と励起バンド間の重なりは小さかった。X線励起ルミネセンスは7~43光子/keVの範囲であった。熱刺激ルミネセンス測定は,n型GaAsが残光を引き起こす準安定放射状態を蓄積しないことを示した。低温光検出器による更なる開発と使用は,大きなターゲットサイズ,超低バックグラウンド,および数eVの電子反跳に対する感度を約束する。これは,数MeV/c~2の光としてのDM粒子により生成される。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱ルミネセンス ,  *シンチレーション ,  ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  *暗黒物質 ,  光検出器 ,  検出器 ,  相互作用 ,  *低温 ,  アフターグロー ,  アクセプタ ,  励起 ,  光子 ,  ホウ素
準シソーラス用語： 反跳 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： C2 ,  暗黒物質 ,  GaAs ,  低温 ,  シンチレーション