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J-GLOBAL ID:201802289054335281   整理番号:18A1752137

補償型共ドープZnS電子特性の第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First Principle Study of Electronic Properties of Compensational Codoped ZnS
著者 (4件):
資料名:
巻: 32  号: z1  ページ: 506-511  発行年: 2018年 
JST資料番号: C2126A  ISSN: 1005-023X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度汎関数理論に基づく第一原理平面波擬ポテンシャル法を用いて、ZnS(Cu、Cl、Br、I)共ドープ系の格子構造と電子性質を研究した。その結果,単一ドープZnS系と比較して,補償型共ドープZnS系の形成エネルギーがより低く,可視光の触媒効率の向上に有利であり,p-d電子反発効果のため,価電子帯は高エネルギー方向に広がり,Cuの3p状態及び非金属原子の不純物状態は伝導帯底を下方移動させることが判明した。その結果,共ドープZnS系のバンドギャップは狭くなり,特にCuZnBrS-ZnSのバンドギャップは30%減少し,吸収端から可視光域まで広がった。またCuZnBrS-ZnSではm?e/m?hは比較的大きく、電子-正孔対の再結合率を下げ、量子効率を高めた。最後に、補償型共ドープZnS電子構造について討論した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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塩基,金属酸化物  ,  光化学一般  ,  化学工業一般 
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