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J-GLOBAL ID:201802289161864462   整理番号:18A0535178

結合遅波コプレーナ導波路を利用したDバンドCMOS増幅器の設計【Powered by NICT】

Design of a D-Band CMOS Amplifier Utilizing Coupled Slow-Wave Coplanar Waveguides
著者 (6件):
資料名:
巻: 66  号:ページ: 1359-1373  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0229A  ISSN: 0018-9480  CODEN: IETMAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,インピーダンス整合のためのCS CPWを利用したDバンドCMOS低雑音増幅器(LNA)を提案することにより,結合遅波導波路(CS CPW)の設計とモデリング方法論を検証した。広帯域ミリ波(mm波)シリコン回路設計における整合素子としてのCS CPWを用いてのロバスト性と実現可能性を研究した。さらに,ミリ波LNAの重要な設計の詳細を議論した。設計されたモノリシックマイクロ波集積回路増幅器は160GHzで15.7dBのピーク利得をもつ135から170GHzまで10dB以上の利得を持っている。増幅器は135~170GHz,8.5dBの雑音指数,および160GHzで16.5dBmの出力関連1dB圧縮点を有していた。増幅器の全電力消費は32mWであった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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増幅回路 

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