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J-GLOBAL ID：201802289166278757   整理番号：18A1675897

1MeV電子照射後のGaInP/GaAs/Ge太陽電池における劣化の時間分解光ルミネセンス研究【JST・京大機械翻訳】

Time resolved photoluminescence studies of degradation in GaInP/GaAs/Ge solar cells after 1MeV electron irradiation

著者 (6件)： Guo Hongliang (School of Material Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Wu Yiyong (School of Material Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Xiao Jingdong (School of Material Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Guo Bin (School of Material Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Sun Qiang (Tianjin Institute of Power Source, Tianjin 300381, China) ,  Yu Hui (Tianjin Institute of Power Source, Tianjin 300381, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 8  ページ： 085213-085213-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間分解光ルミネセンス(TRPL)は,ナノ秒内のキャリアの反応を反映できる高い時間分解能を有するので,キャリアの挙動を特性化する強力な方法である。太陽電池では,少数キャリア寿命が最も重要なパラメータである。TRPLを用いて均一材料の寿命を測定した。しかし,ホモ接合太陽電池では,ドーピング分布とキャリアドリフトが分光分析を非常に困難にしている。従って,一次元数値計算を用いて,GaInP/GaAs/Ge太陽電池におけるGaAsサブセルの時間依存光ルミネセンス(TRPL)減衰を研究した。計算により,少数の寿命と光強度の両方がTRPLの線形状を決定できることを示した。高注入下での二分子再結合は,単一指数関数から非単一指数関数への曲線を修正する。ホモ接合太陽電池のTRPLでは,光ルミネセンス減衰過程は全ての部分で同期せず,減衰はエミッタでは速いが,ベース領域では遅い。1MeV電子照射後の少数キャリアの寿命を得るために,キャリア発生パラメータG_0を最初に数値法に適合させるべきである。損傷係数Kτ=4.8×10~15cm~2/nsはTRPL結果から適合した。光ルミネセンススペクトル(PL)も用いて,TRPLから得られた値と類似するKτ=5.5×10~15cm~2/nsを得た。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  時間依存性 ,  少数キャリア ,  キャラクタリゼーション ,  キャリア生成 ,  *光ルミネセンス ,  指数関数 ,  一次元 ,  線形性 ,  再結合 ,  *電子照射 ,  ナノ秒 ,  数値計算 ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： ホモ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子照射 ,  GaInP ,  GaAs ,  Ge ,  太陽電池 ,  時間分解光ルミネセンス ,  研究