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J-GLOBAL ID：201802289304257196   整理番号：18A0706615

GaN系青色LEDにおける温度依存効率低下【JST・京大機械翻訳】

Temperature-Dependent Efficiency Droop in GaN-Based Blue LEDs

著者 (9件)： Zhao Linna (Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Yan Dawei (Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Zhang Zihui (School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China) ,  Hua Bin (Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Yang Guofeng (Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Cao Yanrong (School of Mechano-Electronic Engineering, Xidian University, Xi’an, China) ,  Zhang En Xia (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Gu Xiaofeng (Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China) ,  Fleetwood Daniel M. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 4  ページ： 528-531  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN青色発光ダイオード(LED)における温度依存効率低下を評価した。p-GaNにおけるキャリア凍結は順方向電流輸送に強い影響を及ぼし,量子井戸間の制限された正孔密度と不均一分布をもたらす。Auger再結合は,温度T>200Kで観測されたLED効率低下の主な原因である。しかし,より低い温度では,電子は容易にp-GaN側にトンネルすることができ,Coulomb遮蔽の増強によりMgアクセプタを直接的に補償することができる。これは正孔イオン化と発光効率を減少させる。実験データは理論モデルと良く一致し,低温効率低下に対する漏れの支配的役割を確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  マグネシウム ,  イオン化 ,  アクセプタ ,  正孔 ,  *温度依存性 ,  *窒化ガリウム ,  量子井戸
準シソーラス用語： 理論モデル ,  発光効率 ,  Auger再結合 ,  正孔密度 ,  InGaN ,  *性能劣化 ,  *青色LED , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  青色LED ,  温度依存 ,  効率低下