Zhao Linna について
Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China について
Yan Dawei について
Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China について
Zhang Zihui について
School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin, China について
Hua Bin について
Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China について
Yang Guofeng について
Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China について
Cao Yanrong について
School of Mechano-Electronic Engineering, Xidian University, Xi’an, China について
Zhang En Xia について
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
Gu Xiaofeng について
Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, China について
Fleetwood Daniel M. について
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA について
IEEE Electron Device Letters について
低温 について
マグネシウム について
イオン化 について
アクセプタ について
正孔 について
温度依存性 について
窒化ガリウム について
量子井戸 について
理論モデル について
発光効率 について
Auger再結合 について
正孔密度 について
InGaN について
性能劣化 について
青色LED について
トランジスタ について
発光素子 について
GaN について
青色LED について
温度依存 について
効率低下 について