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J-GLOBAL ID：201802289306237981   整理番号：18A0163112

水平磁気MOSFET(MAGFET)としてのMOSFETのシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of MOSFET as horizontal magnetic mosfet (MAGFET)

著者 (4件)： Nakachai Rattapong (Department of Electronics, Faculty of Engineering, King Mongkut’s Institute of Technology Ladkrabang’, Bangkok, Thailand) ,  Phetchakul Toempong (Department of Electronics, Faculty of Engineering, King Mongkut’s Institute of Technology Ladkrabang’, Bangkok, Thailand) ,  Poonsawat Sawatdipong (Department of Electronics, Faculty of Engineering, King Mongkut’s Institute of Technology Ladkrabang’, Bangkok, Thailand) ,  Poyai Amporn (Thai Microelectronics Center, Wangtakien District, AmphurMuang, Chachoengsao, Thailand)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICFST  ページ： 19-23  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,平行な方向(y軸)における磁気MOSFET(磁場を検出できるMOSFET)として使用される正規の長チャネルMOSFET構造を提案した。構造をドレイン,ゲート,ソースと基板(ボディ)を持つことを規則的なMOSFETである。装置の機構はx軸方向にチャネルMOSFET電流と基板電流間の電流モードにおけるHall効果である。チャネルMOSFETの寸法は幅20μm,長さ20μmであった。チャネル及び基板電流は,0.5年,1年と1.5mAで同じ値に調整バランスである。TCAD sentaurusによるシミュレーション結果から,デバイスの相対感度はyとy方向における0.01T~ 1であった。平行磁場中の一次元の磁気センサとして用いることができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  磁気センサ ,  チャネル ,  *磁気 ,  Hall効果 ,  *シミュレーション ,  *MOSFET ,  磁場 ,  一次元
準シソーラス用語： TCAD ,  電流モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気 ,  MOSFET ,  シミュレーション