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J-GLOBAL ID：201802289332835759   整理番号：18A0910826

カルボキシレート終端による多孔質Siの濡れ性向上

Improvement in wettability of porous Si by carboxylate termination

著者 (6件)： SAKAKIBARA Masanori (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  MATSUMOTO Kimihisa (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  KAMIYA Kazuhide (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  KAWABATA Shigeki (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  INADA Mitsuru (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Shinya (National Inst. of Technol., Nagano Coll., Nagano, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 2S2  ページ： 02CB16.1-02CB16.6  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *カルボン酸塩 ,  *成端 ,  多孔質シリコン ,  *濡れ ,  FTIR分光法 ,  *光ルミネセンス ,  時間分解光ルミネセンス ,  表面濡れ性
準シソーラス用語： *カルボキシレート ,  *終端

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  脂肪族カルボン酸・ペルオキシカルボン酸・チオカルボン酸  (CF03200E)

タイトルに関連する用語 (4件)： カルボキシレート ,  終端 ,  多孔質Si ,  濡れ性