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J-GLOBAL ID：201802289396100968   整理番号：18A1028384

分子ビームエピタクシーにより成長させたCdTeにおけるヒ素取り込みのナノスケール効果【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale effects of arsenic incorporation in CdTe grown by molecular beam epitaxy

著者 (3件)： Burton George (Colorado School of Mines, Golden, CO, 80401, USA) ,  Diercks David R. (Colorado School of Mines, Golden, CO, 80401, USA) ,  Gorman Brian P. (Colorado School of Mines, Golden, CO, 80401, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTeに基づく光起電力におけるp型ドーピングによる困難さは,ドーパントの取り込み限界と活性化を基本的に理解するために,エピタキシャルAsドープCdTeの成長を促した。高レベルのAsではHgCdTeとCdTeは電気活性の劇的な減少を示したが,その機構は不明であった。AsドープCdTeの原子プローブトモグラフィ分析はAsのクラスタ化を明らかにした。特に,著者らは,Asが期待されるTeよりもCdを置換する傾向があることを見出した。この情報によると,クラスタ化を減少させ,電気活性を増加させるための成長後のアニーリング温度の詳細な評価が必要である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *カドミウム ,  クラスタ化 ,  光起電力 ,  テルル化カドミウム水銀 ,  ドーパント ,  *テルル ,  *テルル化カドミウム ,  *MBE成長 ,  *エピタクシー ,  ドーピング ,  *ヒ素
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  原子プローブトモグラフィー ,  電気活性 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  CdTe ,  ヒ素 ,  取り込み ,  スケール効果