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J-GLOBAL ID：201802289570677944   整理番号：18A0422755

Si_20Te_80 xBi_x(0≦x≦3)カルコゲン化物ガラス状合金における電気的スイッチング【Powered by NICT】

Electrical switching in Si₂₀Te_80-xBi_x (0≦x≦3) chalcogenide glassy alloys

著者 (3件)： Fernandes Brian Jeevan (Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, PO Srinivas Nagar, Mangaluru 575025, India) ,  Ramesh K. (Department of Physics, Indian Institute of Science, C. V. Raman Avenue, Bengaluru 560012, India) ,  Udayashankar N.K. (Department of Physics, National Institute of Technology Karnataka, Surathkal, PO Srinivas Nagar, Mangaluru 575025, India)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 483  ページ： 86-93  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カルコゲン化物ガラスは電子メモリを発見する場合のそれらの重要性のために大きな研究関心を達成した。Si_20Te_80 xBi_x(0≦x≦3)ガラスの電気的スイッチングおよび熱結晶化挙動を報告した。しきい値電圧(V_T)と熱安定性(ΔT)の有意な減少を観測し,Si_20Te_80 xBi_xガラスにおいて,添加元素Biの抵抗率はネットワーク連結性/剛性より支配的な役割を果たすことを示した。試料の厚さと温度に関してV_Tの変化はSi_20Te_80 xBi_xガラスで観測されたメモリスイッチングは熱的に誘起された転移(熱機構)によって影響されることを示した。前スイッチとスイッチ試料の走査電子顕微鏡(SEM)研究は,試料の表面の形態学的変化を明らかにし,スイッチング過程に於ける二極間の結晶フィラメントの形成の実験的証拠として役立つ。さらに,ΔT値の減少はSi-TeガラスはBiの添加でより容易にde vitrifiable,V_Tの減少に影響を及ぼすになることを示した。熱失透研究および形態学的変化のような構造評価は検討したガラス系の制限されたガラス形成能を明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィラメント ,  剛性 ,  構造解析 ,  電圧 ,  電気抵抗率 ,  *スイッチ ,  熱安定性 ,  モルフォロジー ,  走査電子顕微鏡 ,  *カルコゲン化物ガラス ,  *スイッチング ,  *ガラス ,  記憶装置 ,  *ビスマス ,  結晶

著者キーワード (5件)： カルコゲン化物ガラス状合金 ,  電気スイッチング ,  しきい値スイッチング電圧 ,  熱安定性 ,  走査型電子顕微鏡観察

分類 (3件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  その他の非晶質の構造  (BK04040Z) ,  ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： カルコゲン化物ガラス ,  合金 ,  スイッチング