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J-GLOBAL ID：201802289740102143   整理番号：18A1151870

Ti/TiO_2-NT/Au構造の抵抗スイッチング特性に及ぼす酸化物層厚の影響【JST・京大機械翻訳】

Oxide layer thickness effects on the resistance switching characteristics of Ti/TiO₂-NT/Au structure

著者 (5件)： Dorosheva Irina B. (NANOTECH Center, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russia) ,  Vokhmintsev Alexander S. (NANOTECH Center, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russia) ,  Kamalov Robert V. (NANOTECH Center, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russia) ,  Gryaznov Aleksey O. (NANOTECH Center, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russia) ,  Weinstein Ilya A. (NANOTECH Center, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： USBEREIT  ページ： 279-282  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 45nmの外径を有する自己秩序化ナノチューブ状チタニアTiO_2-NTを,チタン箔の陽極酸化を用いて合成した。80,120,160および200nmの酸化物層厚を有するTi/TiO_2-NT/Auサンドイッチ構造に基づく100μm直径を有する4セットのメムリスタを作製した。静的および動的動作モードにおける得られた試料の電流-電圧(CV)特性を研究した。高および低抵抗状態における抵抗を推定した。動的モード(>14000スイッチング)におけるCV特性の解析に基づいて,不揮発性メモリにおける160nmの酸化物層厚を有する合成Ti/TiO_2-NT/Auマイクロメムリスタのための使用の展望を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  電圧 ,  運転モード ,  チタン ,  外径 ,  *スイッチング ,  *酸化物 ,  アノード酸化 ,  サンドイッチ構造 ,  *層厚 ,  電流
準シソーラス用語： メモリスタ ,  二酸化チタン ,  自己秩序化 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  分析機器  (CC02020S) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  Au ,  スイッチング特性 ,  酸化物層 ,  厚