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J-GLOBAL ID：201802289754707170   整理番号：18A0958394

ナノスケール単結晶シリコンにおける不安定亀裂挙動:開始,不安定な伝搬および停止【JST・京大機械翻訳】

Unstable cracking behavior in nanoscale single crystal silicon: Initiation, unstable propagation and arrest

著者 (7件)： Huang Kai (Department of Astronautic Science and Mechanics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Huang Kai (Department of Mechanical Engineering and Science, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Sumigawa Takashi (Department of Mechanical Engineering and Science, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Guo Licheng (Department of Astronautic Science and Mechanics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Yan Yabin (Department of Mechanical Engineering and Science, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan) ,  Yan Yabin (Institute of Systems Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China) ,  Kitamura Takayuki (Department of Mechanical Engineering and Science, Kyoto University, Kyoto 615-8540, Japan)
資料名： Engineering Fracture Mechanics  (Engineering Fracture Mechanics)
巻： 196  ページ： 113-122  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0119A  ISSN： 0013-7944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール単結晶シリコンにおける不安定な亀裂挙動(開始,不安定な伝搬および停止を含む)を,ナノスケール台形二重片持ち梁法を用いて実験的に観察した。良く制御された多段階亀裂実験を,破壊靭性KIcと停止靭性KIaの両方を正確に推定するために設計した。実験結果は,数百ナノメータの短い範囲内での不安定な亀裂がKIcからKIaへの見かけの減少,すなわちKIa<KIcをもたらし,無視できるエネルギー散逸を伴う驚くほど清浄な亀裂表面を生成することを示した。ナノスケール単結晶シリコンにおける(011)へき開面の比表面エネルギーをγ=1.83J/m2と正確に評価した。これらの結果はナノスケールでの脆性材料における不安定亀裂挙動の基本的理解を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー散逸 ,  脆性材料 ,  靱性 ,  破壊靱性 ,  表面エネルギー ,  *亀裂
準シソーラス用語： 劈開面 ,  ナノメータ ,  二重片持梁 ,  *単結晶シリコン ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ナノスケール単結晶シリコン ,  不安定亀裂 ,  破壊靱性 ,  停止靱性 ,  比表面エネルギー

分類 (3件)： 金属材料  (HC04020L) ,  破壊力学一般  (HC04010A) ,  金属材料  (HC05020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  単結晶シリコン ,  亀裂 ,  挙動 ,  伝搬