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J-GLOBAL ID：201802289862702836   整理番号：18A0151017

純Agスクリーン印刷と焼成接触をもつレーザドープp型シリコン表面の低抵抗接触【Powered by NICT】

Low-Ohmic Contacting of Laser-Doped p-Type Silicon Surfaces with Pure Ag Screen-Printed and Fired Contacts

著者 (11件)： Lohmueller Elmar (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Werner Sabrina (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Norouzi Mohammad Hassan (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Gutscher Simon (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Demant Matthias (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Saint-Cast Pierre (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Linse Michael (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Bitnar Bernd (SolarWorld Innovations GmbH, Berthelsdorfer Strasse 111A, 09599 Freiberg, Germany) ,  Palinginis Phedon (SolarWorld Innovations GmbH, Berthelsdorfer Strasse 111A, 09599 Freiberg, Germany) ,  Neuhaus Holger (SolarWorld Innovations GmbH, Berthelsdorfer Strasse 111A, 09599 Freiberg, Germany) ,  Wolf Andreas (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700587  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度にほう素をドープしたシリコン表面の最新の低オーミック電気接触はスクリーン印刷と焼成した銀-アルミニウム(Ag Al)接触の使用に基づいている。これらの接触のために,数ミクロンまでの深さを持つ金属微結晶が界面で観察された。りんをドープした表面上のスクリーン印刷と焼成Ag接触に対して,観測された結晶深さははるかに小さかった。本研究では,市販の純Agスクリーン印刷ペーストを用いた局所レーザでドーピングされたp型シリコン表面の低オーミック電気接触を実証した。ドーピング層は「pPassDop」アプローチ,p型シリコン太陽電池の背面上の不動態化層として働くに基づいている。比接触抵抗は約55μmのシリコン表面とフィンガー幅でp型ドーピング密度約3×10~19cm~ 3の1mΩcm~2まで測定した。微細構造解析は,侵入深さ80nm以下の界面で多数の小さなAg微結晶の形成を明らかにした。両側のみにAg接触を用いた6インチp型Cz-Si両面太陽電池の「pPassDop」アプローチの最初の実装は19.1%のピーク前面エネルギー変換効率,両側に接触棒を持つブラックチャックで測定したが得られた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *スクリーン印刷 ,  微細構造 ,  アルミニウム ,  太陽電池 ,  微結晶 ,  ホウ素 ,  ペースト ,  界面 ,  *ドーピング ,  エネルギー変換効率 ,  *ケイ素 ,  *レーザ ,  *銀
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  電気接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ほう素をドープした窒化けい素 ,  p型ドーピング ,  スクリーン印刷 ,  銀接触 ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ag ,  スクリーン印刷 ,  焼成 ,  レーザ ,  ドープ ,  p型シリコン ,  低抵抗