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J-GLOBAL ID:201802289868100181   整理番号:18A0243002

NEGFアプローチに基づく超格子障壁H gCdTe nBn赤外検出器の最適化【Powered by NICT】

Optimization of Superlattice Barrier HgCdTe nBn Infrared Photodetectors Based on an NEGF Approach
著者 (5件):
資料名:
巻: 65  号:ページ: 591-598  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ユニポーラnBn光検出器構造は最近,従来のp-n接合赤外フォトダイオードアプローチに代わる実現可能なものとして出現した。しかし,水銀-カドミウム-テルル(HgCdTe)合金系を用いたユニポーラnBn検出器技術の実現は,有利な価電子帯オフセットをもつ障壁材料の欠如のために挑戦的な課題である。本論文では,非平衡Green関数(NEGF)定式化に基づいて,先端的量子機械的計算を用いて,III型H gTe/CdTe超格子(SL)障壁層を組み込むことにより,HgCdTe nBn検出器における拡散に支配された暗電流性能を達成できることを実証した。CdTe層の厚さ,HgTe層の厚さ,と周期の総数のための最適設計パラメータは,障壁層を通過する最大正孔電流透過,拡散に支配された暗電流性能を達成するために提示した。ここで提示したNEGFシミュレーションフレームワークは,SL障壁層中の電子と正孔の波動関数伝搬だけでなく,個々のキャリア電流成分の計算に関連する効果へのより深い洞察を可能にした。提示された結果は高性能SL障壁HgCdTe nBn検出器の作製のための優れた基礎を形成する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  ,  測光と光検出器一般 
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