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J-GLOBAL ID:201802289918408996   整理番号:18A1002993

緑色量子ドット発光ダイオードの性能向上:Agナノワイヤの場合【JST・京大機械翻訳】

Enhanced performance of green quantum dots light-emitting diodes: The case of Ag nanowires
著者 (2件):
資料名:
巻: 101  ページ: 11-15  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,緑色量子ドット発光ダイオード(QLED)の性能を,NiO正孔注入層(HIL)にAgナノワイヤ(NW)を分散させることによって強化した。最大輝度32780cd/m-2,電流効率4.1cd/A-1をもつ高輝度緑色QLEDは,Ag NWなしの素子と比較して50%改善を示した。この改善された性能は,Ag NWの導入の結果としての伝導率と正孔注入速度の著しい増加と,NWとQDによって発生した局在表面プラズマ共鳴(LSPR)の共鳴周波数の間の良好な整合,および励起子のLSPR誘起近接場増強放射再結合速度によるQD層の抑制Auger再結合の結果と考えられる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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発光素子 

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