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J-GLOBAL ID：201802289919530824   整理番号：18A1427582

横方向グラフェンおよび六方晶系窒化ホウ素ヘテロ構造の機械的および電子的性質【JST・京大機械翻訳】

Mechanical and electronic properties of lateral graphene and hexagonal boron nitride heterostructures

著者 (2件)： Ge Mei (School of Physics and Information Engineering, Shanxi Normal University, Linfen 041004, China) ,  Si Chen (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 136  ページ： 286-291  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元デバイスにおける有望な応用により,横方向グラフェン/h-BN(G/BN)ヘテロ構造が顕著な注目を集めている。ここでは,密度関数理論を用いて異なるタイプの界面を持つ横G/BNの機械的および電子的性質を調べた。アームチェア(AC)またはジグザグ(ZZ)型界面を持つG/BNヘテロ構造に対して,固有の引張強さは元のグラフェンのそれに近い。不整合界面を持つヘテロ構造に対しては,固有引張強さはミスオリエンテーション角度に大きく依存する。Clarの界面を持つG/BNヘテロ構造は,非Clarの界面を持つものより機械的に安定であることが分かった。さらに,1軸引張歪が0%から10%に増加すると,ZZ界面を持つG/BNのバンドギャップはほとんど変化しないが,AC界面を持つG/BNはバンドギャップの非単調変化を示す。これらの理論的結果は,横G/BNヘテロ構造の機械的および電子的挙動に及ぼす界面効果に対する有用な描像を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  密度汎関数法 ,  引張強さ ,  折れ線 ,  一軸 ,  不整合 ,  界面 ,  二次元 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 引張歪 ,  ミスオリエンテーション角度 ,  *ヘテロ構造 ,  六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 横方向 ,  グラフェン ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  性質