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J-GLOBAL ID：201802290068992033   整理番号：18A0166534

GaNデバイスを用いた電力変換システムにおけるPareto最適性能改善の予測【Powered by NICT】

Prediction of Pareto-optimal performance improvements in a power conversion system using GaN devices

著者 (8件)： Zhang B. (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana, USA) ,  Sudhoff S. (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana, USA) ,  Pekarek S. (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana, USA) ,  Swanson R. (Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana, USA) ,  Flicker J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico, USA) ,  Neely J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico, USA) ,  Delhotal J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico, USA) ,  Kaplar R. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： WiPDA  ページ： 80-86  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)半導体は極端に低いスイッチング損失,高破壊電圧,高接合温度評価を有していた。これらの特性は,デバイス性能の改善を可能にし,このようにしてスイッチモード電力変換器設計を改善した。本論文では,予測されたGaN損失特性と厳密な多目的最適化に基づく設計パラダイムを用いた直流発電システムのためのPareto最適性能改善を評価した。最適化の結果は,GaNの適用は,10kW応用に対しては同じ損失レベルで炭化ケイ素(SiC)とシリコン(Si)に比べて40%省質量と比較して6.4%の質量削減を達成できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  電力変換器 ,  半導体 ,  炭化ケイ素 ,  スイッチング損失 ,  *電力変換 ,  直流 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 発電システム ,  多目的最適化 ,  接合温度 ,  絶縁破壊電圧 ,  *Pareto最適 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  電力変換 ,  Pareto最適 ,  性能改善 ,  予測