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J-GLOBAL ID:201802290118173297   整理番号:18A1189350

電圧感知ドメインの変異はTRPM3チャンネルにおける代替イオン透過経路に影響する【JST・京大機械翻訳】

Mutations in the voltage-sensing domain affect the alternative ion permeation pathway in the TRPM3 channel
著者 (13件):
資料名:
巻: 596  号: 12  ページ: 2413-2432  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0587A  ISSN: 0022-3751  CODEN: JPHYA7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電位依存性Na+,K+及びCa2+チャンネルの電位センサドメイン(膜貫通セグメント(S)4)における正に荷電したアミノ酸(アルギニン及びリジン)(R1-R4)における変異誘発は中心孔と異なる代替イオン透過経路をもたらす。最近,一過性受容体電位(TRP)スーパーファミリーのメンバー,TRPM3において非正準イオン透過経路が記述された。非正準孔は天然TRPM3チャンネルに存在し,内因性アゴニストプレグネノロン硫酸塩と抗真菌薬クロトリマゾールの共刺激により活性化され,または合成アゴニストCIM0216の刺激により活性化される。全TRPM3配列によるShaker K+チャンネルの電圧センサのアラインメントはTRPM3の推定S4領域において最も高い類似性を示し,推定S4領域における1つの単一ゲーティング電荷アルギニン(R2)のみが保存されていることを示唆した。TRPM3の電位感知ドメインにおける変異誘発研究は,非正準内向き電流の発生に重要なS1およびS3と同様に,電圧センサ(S4)におけるいくつかの残基を明らかにした。結論として,本研究は,代替イオン透過経路の形成におけるTRPM3の電圧感知ドメインの関与の証拠を提供する。一時的受容体電位(TRP)チャンネルは,ホメオスタシス,運動性および感覚機能を含む広範囲の機能に関与するカチオンチャンネルである。Trpチャンネルサブユニットは6つの膜貫通セグメント(S1-S6)から成り,S5とS6を取り囲む領域により形成された中心孔を持つ四量体チャンネルを形成する。最近,TRPM3における代替イオン透過経路の存在に対する証拠が提供され,それは中心細孔と独立に過分極で大きな内向き電流を可能にした。しかしながら,天然TRPM3チャンネル蛋白質におけるこの代替経路の局在化に関しては,ほとんど知られていない。S4における突然変異が類似の「オメガ」細孔を作り出すShaker K+チャンネルとの配列相同性により誘導され,TRPM3における非正準細孔形成に関与するアミノ酸残基を同定する部位特異的変異誘発研究及びパッチクランプ実験を行った。著者らの結果に基づいて,代替イオン透過経路の特性の重要な決定因子としてS4(W982,R985,D988およびG991)における4つの残基を指摘した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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細胞膜の輸送  ,  細胞膜の受容体 

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