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J-GLOBAL ID：201802290208062781   整理番号：18A1334323

マイクロ波整流器としてのInGaAsベース平面障壁ダイオード

InGaAs-based planar barrier diode as microwave rectifier

著者 (6件)： ZAKARIA Nor Farhani (Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS) ,  KASJOO Shahrir Rizal (Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS) ,  ZAILAN Zarimawaty (Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS) ,  ISA Muammar Mohamad (Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS) ,  ARSHAD Mohd Khairuddin Md (Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS) ,  TAKING Sanna (Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6  ページ： 064101.1-064101.7  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,InGaAs基板を用いて作製し,平面障壁ダイオード(PBD)と呼ぶ,新しい平面非線形整流素子を提案し,シミュレーションした。電極間に非対称な逆方向の矢じり形構造を用いて,不均一な空乏領域を開発し,これは伝導チャネルに三角形のエネルギー障壁を形成した。この障壁は電圧に依存し,PBDを横切る印加電圧により制御でき,その結果,非線形ダイオード様電流-電圧特性をもたらし,整流素子として使用できた。PBDの動作原理を熱電子放出理論を用いて説明した。さらに,PBDの幾何学的設計を変えることによって,電流-電圧特性の非対称性を,優れた整流性能を実現するために最適化することができた。最適化された構造パラメータを用いることにより,デバイスの得られたカットオフ周波数は,50mVの低DCバイアス電圧で,14V^-1の曲率係数ピークをもつ約270GHzであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マイクロ波 ,  *整流器 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ダイオード ,  シミュレーション ,  空乏層 ,  障壁 ,  熱電子放出 ,  遮断周波数 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  カットオフ周波数 ,  非線形

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (32件)：

• A. Shirane, H. Ito, N. Ishihara, and K. Masu, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 04DE11 (2015).
• Y. Yazawa, T. Oonishi, K. Watanabe, R. Nemoto, and A. Shiratori, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 04DL13 (2010).
• H. Hayata, M. Okamoto, S. Takeoka, E. Iwase, T. Fujie, and H. Iwata, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 05EC01 (2017).
• M. Sun, D. Ranasinghe, and S. F. Al-Sarawi, Proc. IEEE Asia Pacific Conf. Circuits and Systems (APCCAS), 2016, p. 107.
• K. Bhatt and C. C. Tripathi, J. Indian Pure Appl. Phys. 53, 827 (2015).

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロ波 ,  整流器 ,  InGaAs ,  障壁 ,  ダイオード