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J-GLOBAL ID:201802290247697353   整理番号:18A0713882

偏極半球量子ドットにおける単一ドーパントの量子閉込めStark効果 二次元有限差分法とRitz-Hasse変分法【JST・京大機械翻訳】

Quantum confined Stark effects of single dopant in polarized hemispherical quantum dot: Two-dimensional finite difference approach and Ritz-Hasse variation method
著者 (7件):
資料名:
巻: 537  ページ: 40-50  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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絶縁マトリックスによりキャップされ,外部均一電場に曝された濡れ層上に堆積された分極均一半球量子ドットに閉じ込められた水素様オフ中心単一ドナー不純物の固有値方程式を有効質量近似の枠組で解いた。無限に深いポテンシャルを用いて,量子ドットと周囲の材料が満たす表面での伝導帯オフセットによる量子閉込めの効果を記述した。電場の存在下での単一ドナー基底状態の全および結合エネルギーを,二次元有限差分法およびRitz-Hass変動原理により決定した。後者の方法では,電子とイオン化した単一ドナー間の引力的Coulomb相関を,試行波動関数の表現で考慮した。オフ中心単一ドーパント結合エネルギー,空間拡張および動径確率密度は,量子ドット内の半球半径および単一ドーパント位置に強く依存するように見える。均一電場の影響も調べた。それは,Stark効果が非常に小さいサイズのドットに対してさえ現れ,単一ドナーが半球表面近くにあるとき,単一ドーパントエネルギーシフトがより顕著であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
不純物・欠陥の電子構造 

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