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J-GLOBAL ID：201802290405869439   整理番号：18A0584984

MoSe_2とWSe_2によるZr_2CT_2(T=O, F)の二次元van der Waalsヘテロ構造の興味ある電子構造と光学的性質【Powered by NICT】

Intriguing electronic structures and optical properties of two-dimensional van der Waals heterostructures of Zr₂CT₂ (T = O, F) with MoSe₂ and WSe₂

著者 (6件)： Rehman Gul (Center for Computational Materials Science, University of Malakand, Chakdara, 18800, Pakistan) ,  Khan S. A. ,  Amin B. ,  Ahmad Iftikhar ,  Gan Li-Yong ,  Maqbool Muhammad
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 11  ページ： 2830-2839  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (ハイブリッド)第一原理計算に基づいて,van der Waalsヘテロ構造の材料特性(構造,電子,振動,光学,光触媒)とそれに対応する単分子層(遷移金属ジカルコゲン化物とMXene)を調べた。MoSe_2/Zr_2CO_2とWSe_2/Zr_2CO_2ヘテロ構造は第1種と第2種バンドアラインメントを持つ間接バンドギャップ半導体であったが,MoSe_2/Zr_2CF_2とWSe_2/Zr_2CF_2は金属であった。第二種バンド整列にI型の遷移が中程度の圧縮及び引張歪によってMoSe_2/Zr_2CO_2で達成された。さらに,吸収スペクトルから,これらの系の光学的挙動を理解するために計算したが,赤色および青色シフトはヘテロ構造における引張および圧縮歪のもとで励起子ピークの位置で観察された。光触媒の研究は,MoSe_2/Zr_2CO_2とWSe_2/Zr_2CO_2ヘテロ構造はH_2O/O_2を酸化O_2にできることを示したが,それらの親単分子層(MoSe_2,WSe_2とZr_2CO_2)とは異なり,これらのヘテロ構造はH~+を還元H_2に失敗している。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収スペクトル ,  光触媒 ,  単分子層 ,  *光学的性質 ,  *二次元 ,  半導体 ,  計算 ,  引張 ,  励起子 ,  *電子構造
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  引張歪 ,  間接バンドギャップ ,  バンドアライメント ,  第一原理計算 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  塩  (CD01050V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： VAN ,  ヘテロ構造 ,  興味 ,  電子構造 ,  光学的性質