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J-GLOBAL ID:201802290410907842   整理番号:18A0972406

光起電力織物のための高圧化学蒸着による非晶質シリコンとゲルマニウムの共形コーティング【JST・京大機械翻訳】

Conformal coating of amorphous silicon and germanium by high pressure chemical vapor deposition for photovoltaic fabrics
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 046105-046105-8  発行年: 2018年 
JST資料番号: U7122A  ISSN: 2166-532X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高品質半導体を有する高表面積基板は,整合的に被覆された組織化されている。ここでは,高圧化学蒸着プロセスを用いて,電子的または光電子的に活性な材料を用いて,いくつかのタイプの柔軟な織物(綿,炭素,鋼)の個々の繊維を適合的に被覆することができることを示した。高圧(~30MPa)は低温での堆積速度を著しく増加させた。結果として,プラズマ,光化学,熱線,または他の型の活性化を用いることなく,簡単で非常に実用的な熱分解プロセスにより,シランから技術的に重要な水素化非晶質シリコン(a-Si:H)を堆積することが可能になった。マイクロスケール反応器における気相反応を閉じ込めることにより,望ましくない粒子の形成が織物構造中の個々のワイヤ間のマイクロスケール空間内で抑制されることを示した。このような共形被覆法は,太陽織物として機能するステンレス鋼織物上の水素化アモルファスシリコンベースのSchottky接合素子の直接作製を可能にする。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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