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J-GLOBAL ID:201802290444216285   整理番号:18A1615185

非常に促進された太陽駆動光触媒活性を有する直接ZスキームBi_2WO_6/G-C_3N_4複合材料のその場構築【JST・京大機械翻訳】

In-situ construction of direct Z-scheme Bi2WO6/g-C3N4 composites with remarkably promoted solar-driven photocatalytic activity
著者 (7件):
資料名:
巻: 217  ページ: 207-215  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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金属を含まない可視光駆動半導体として,グラファイト窒化炭素(g-C_3N_4)は,その優れた特性のために注目を集めている。しかしながら,裸のg-C_3N_4の光触媒性能は,その固有の欠点によって著しく妨げられた。ここでは,g-C_3N_4の光触媒性能をさらに高めるために,Bi_2WO_6を通常の水熱法によりg-C_3N_4上にin situで固定した。調製したままのBi_2WO_6/g-C_3N_4ヘテロ接合は,模擬太陽光照射下でローダミンB(RhB)とフェノール水溶液の減衰に対して非常に効率的な光触媒活性を示した。Bi:G-C_3N_4のモル比が4%のとき,調製したBi_2WO_6/g-C_3N_4サンプルは,最も高い光触媒活性を示した。4%の試料の最高の光触媒性能は,表面光起電力分光法(SPS)の結果によって支持された光生成電子-正孔対の最高の分離速度に起因すると考えられる。サイクリング実験は,Bi_2WO_6/g-C_3N_4複合材料が優れた安定性を示すことを示した。Bi_2WO_6/g-C_3N_4複合材料の光誘起電子-正孔分離および移動は,整合エネルギーバンド,主活性種の分析および光生成電子-正孔対の増強分離速度に基づく直接Z-スキーム機構に従った。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  塩基,金属酸化物 
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