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J-GLOBAL ID:201802290489967587   整理番号:18A0651839

905nm InGaAsパルスレーザダイオードの駆動電流特性の解析と試験【JST・京大機械翻訳】

Analysis and measurement on drive current characteristics of 905 nm InGaAs pulse laser diodes
著者 (4件):
資料名:
巻: 41  号:ページ: 803-806  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2072A  ISSN: 1001-3806  CODEN: JJISEO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高出力905nm InGaAsパルスレーザダイオードのレーザパルス幅とピークパワーを調整するために,パルス幅を調整することができた。本論文では,金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の駆動としてMOSFETを用いて,高電圧モジュールとエネルギー貯蔵容量の間の充放電を制御するために,フィールドプログラマブルゲートアレイによるトリガパルスと集積モジュールEL7104Cを用いた。パルスレーザーダイオードの駆動回路を設計し、駆動電流特性に対して理論分析と実験検証を行い、異なるコンデンサと高圧条件下の電流パルス幅とピークデータを取得し、具体的な変化関係を分析し、スペクトルとパワー-電流特性テストを行った。結果により、駆動電流のパルス幅とピーク電流に影響を与える重要な要素は、コンデンサの大きさと充電高圧であり、パルスレーザーダイオードの駆動電流ピークは0A~40A、パルス幅20ns~100nsで調節可能であり、パルスレーザーダイオードの最大ピーク出力は40Wに達することが分かった。パルス型半導体レーザの出力パワーとパルス幅の制御可能な調整を実現した。この設計と分析は近赤外高出力パルスレーザーの制御可能な駆動設計に対して一定の実用的な参考意義がある。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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