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J-GLOBAL ID：201802290573618455   整理番号：18A1028577

20nm空間分解能を有するCu(In,Ga)Se_2およびCu_2znSnSe_4太陽電池における電気接合の決定【JST・京大機械翻訳】

Determination of the electrical junction in Cu(In,Ga)Se₂ and Cu₂ZnSnSe₄ solar cells with 20-nm spatial resolution

著者 (7件)： Xiao Chuanxiao (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA) ,  Jiang Chun-Sheng (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA) ,  Moutinho Helio (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA) ,  Levi Dean (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA) ,  Yan Yanfa (University of Toledo, Toledo, OH 43606 USA) ,  Gorman Brian (Colorado School of Mines, Golden, CO 80401 USA) ,  Al-Jassim Mowafak (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型静電容量分光法(SCS)を用いて,Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)とCu_2ZnSnSe_4(CZTS)太陽電池の電気接合(EJ)を約20nmの精度で配置した。断面試料を調製し,SCS測定のための重要な高品質絶縁層を成長させる手順を開発した。CIGSは,CII/CdS界面内に~40nmに位置するEJと埋め込まれたホモ接合を有することを見出した。界面から10~30nm離れた領域でn型CIGSを調べた。対照的に,CZTS/CdSセルはCIGSより浅いEJ(~20nm)を有するヘテロ界面接合を有していた。EJはCZTS/CdS界面から約20nmであり,ヘテロ接合セル中のp-CZTSとn-CdSの非対称キャリア濃度と一致した。接合位置の明確な決定により,CIGSとCZTSの最先端デバイス間の大きな開回路電圧差を説明できた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  静電容量 ,  スペクトロスコピー ,  界面 ,  硫化カドミウム ,  走査 ,  *太陽電池 ,  *空間分解能 ,  キャリア密度 ,  非対称性 ,  *接合
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  ヘテロ界面 ,  CZTS ,  ホモ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 空間分解能 ,  Cu ,  Ga ,  太陽電池