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J-GLOBAL ID:201802290610482744   整理番号:18A1904992

強く発光する表面においてシースポテンシャルは正か負か【JST・京大機械翻訳】

Is the Sheath Potential Positive or Negative at Strongly Emitting Surfaces?
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: ICOPS  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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最近の文献において,強い電子放出の下での2つの明確なシース溶液が,理論モデル,シミュレーションおよび実験[1],「空間電荷制限」(SCL)シースおよび「逆」シースにおいて報告されている。それらが鋭く異なる粒子とエネルギーフラックスをもたらすので,どの条件下でシースが起こるかを決定することは重要である。著者らの現在の研究[2]は,強い放出問題の統一的解析を提供し,前置と鞘の両方を扱っている。プラズマの上流特性(例えば,NとT_e)にかかわらず,放出係数が1を超えると,2つの平衡,1つはSCLシースとBohmプレシース,もう1つは反転したシース/プレシースをもつことを確認した。しかし,低温イオンがSCLシースのポテンシャルディップで生まれると,蓄積イオン空間電荷は逆シースへの転移を強制することを示した。これは,プラズマ領域[4]における衝突なしのシミュレーション研究において,安定なSCLシースがなぜ観察されたかを説明する。いくつかのイオン化またはCX衝突が常に実際のシースに存在すると仮定すると,ダイバータ板,発光プローブ,ダスト粒子,Hallスラスタチャネル壁,または空間における太陽光物体のいずれかの場合,強い放出条件下では単調な逆シースのみが存在する。著者らの新しい1Dシミュレーション[2]は,SCLと逆平衡には,事前の長さスケールにわたるイオン流速と密度勾配の大きな差があることを示している。これにより,シース自体の内部をプローブすることなくシース状態を同定するための将来の実験研究が可能になるであろう。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
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