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J-GLOBAL ID：201802290672694499   整理番号：18A1597767

220~330GHzでの共平面プローブ遷移による微細加工シリコンコア基板集積導波路【JST・京大機械翻訳】

Micromachined Silicon-core Substrate-integrated Waveguides with Co-planarprobe Transitions at 220-330 GHz

著者 (4件)： Krivovitca Aleksandr (KTH Royal Institute of Technology, Dept. of Micro and Nanosystems, Stockholm, Sweden) ,  Shah Umer (KTH Royal Institute of Technology, Dept. of Micro and Nanosystems, Stockholm, Sweden) ,  Glubokov Oleksandr (KTH Royal Institute of Technology, Dept. of Micro and Nanosystems, Stockholm, Sweden) ,  Oberhammer Joachim (KTH Royal Institute of Technology, Dept. of Micro and Nanosystems, Stockholm, Sweden)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IMS  ページ： 190-193  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,著者らの知る限りでは,220~325GHzの周波数範囲における最初のシリコンコア微細加工サブストラクト集積導波路(SIW)について初めて報告した。実質的に低い周波数から知られている従来のSIWに用いられている作製法とは対照的に,マイクロマシニングにより全高さの導波路と理想的で任意形状の側壁が可能になる。シリコン誘電体コアは空気充填導波路と比較して3.4倍の導波路と成分のダウンスケーリングを可能にした。330GHzで測定した導波路挿入損失は0.43dB/mm(0.14dB/λg,誘導波長に正規化)と低い。デバイスは2マスクマイクロマシニングプロセスを用いて作製した。さらに,この周波数範囲における非常に最初のCPWからSIWへの遷移を含む低損失超広帯域共平面導波路(CPW)遷移を成功裏に実現した。測定した遷移性能は0.5dB挿入損失(導波路遮断周波数以上15%以上の帯域で0.43dBの平均)よりも良好であり,これは以前に報告したCPWからSIWへの遷移よりも3倍低い周波数においても低く,帰還損失は導波路バンドの75%に対して14dBより良好であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 挿入損 ,  正規化 ,  *プローブ ,  フィードバック ,  マイクロマシニング ,  周波数 ,  *微細加工 ,  *導波路 ,  周波数帯 ,  コプレーナ導波路
準シソーラス用語： 超広帯域 ,  ダウンスケーリング ,  基板集積導波路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： プローブ ,  遷移 ,  微細加工 ,  シリコン ,  コア ,  基板集積導波路