文献

J-GLOBAL ID：201802290696812137   整理番号：18A1588247

チュートリアル:有機電界効果トランジスタ:材料,構造および動作【JST・京大機械翻訳】

Tutorial: Organic field-effect transistors: Materials, structure and operation

著者 (5件)： Lamport Zachary A. (Department of Physics and Center for Functional Materials, Wake Forest University, 1834 Wake Forest Rd., Winston Salem, North Carolina 27109, USA) ,  Haneef Hamna F. (Department of Physics and Center for Functional Materials, Wake Forest University, 1834 Wake Forest Rd., Winston Salem, North Carolina 27109, USA) ,  Anand Sajant (Department of Physics and Center for Functional Materials, Wake Forest University, 1834 Wake Forest Rd., Winston Salem, North Carolina 27109, USA) ,  Waldrip Matthew (Department of Physics and Center for Functional Materials, Wake Forest University, 1834 Wake Forest Rd., Winston Salem, North Carolina 27109, USA) ,  Jurchescu Oana D. (Department of Physics and Center for Functional Materials, Wake Forest University, 1834 Wake Forest Rd., Winston Salem, North Carolina 27109, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 7  ページ： 071101-071101-25  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範囲の加工技術による化学的汎用性と適合性は,種々の電子およびオプトエレクトロニクスデバイスにおける有機半導体の組込みをもたらした。そのような素子の一つは有機電界効果トランジスタ(OFET)である。本論文では,OFETsの構造,動作,および特性化について述べた。短い歴史的展望に従って,OFETsに対して可能なアーキテクチャを導入し,次に,デバイス物理と関連するデバイスパラメータを抽出するための方法を記述した。著者らは,過去数十年間にOFETsに採用された無数の有機半導体と堆積法の簡単な概観を提供した。次に,接触抵抗を含む非理想的なデバイス特性を,電気的性能に及ぼすそれらの影響,およびデバイスパラメータを抽出する精度に沿って議論した。最後に,有機半導体の基本的性質へのアクセスとこれらの材料における電荷輸送の機構を可能にするOFETsを含むいくつかの測定を強調した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  汎用性 ,  適応性 ,  計算機アーキテクチャ ,  接触抵抗 ,  *有機半導体
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  デバイス特性 ,  光電子デバイス ,  加工技術 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： チュートリアル ,  有機電界効果トランジスタ