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J-GLOBAL ID：201802290789559772   整理番号：18A1080986

窒化アルミニウムの原子層堆積調製とその抵抗性能研究【JST・京大機械翻訳】

AlNxOy Film Prepared by Atomic Layer Deposition and Its Research in Resistive Random Access Memory

著者 (8件)： Liu Yu (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Yu Jue (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Huang Wei (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Li Jun (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Wang Jianyuan (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Xu Jianfang (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Li Cheng (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005) ,  Chen Songyan (厦門大学物理科学与技術学院,福建厦門,361005)
資料名： Xiamen Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban  (Xiamen Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban)
巻： 56  号： 6  ページ： 886-890  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1452A  ISSN： 0438-0479  CODEN： HMHHAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： プラズマ増強原子層蒸着(PE-ALD)により,AlNxOy薄膜を成長させた。素子は双極性抵抗特性を呈し、正方向ターンオン電圧が安定し、分布も狭く、変化幅が0.5Vの範囲内に集中し、高抵抗状態と低抵抗状態抵抗の比が103を超え、不活化の特性を持っている。低温テストにより、デバイスの低抵抗と温度の正相関は、抵抗変化のメカニズムが銀導電フィラメントの形成と断裂であることを説明した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  低温 ,  銀 ,  *窒化アルミニウム ,  断裂 ,  プラズマ ,  不活性化
準シソーラス用語： 導電性フィラメント ,  抵抗変化 ,  ターンオン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： atomic layer deposition(ALD) ,  AlNxOy film ,  resistive random access memory(RRAM) ,  bipolar

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化アルミニウム ,  原子層堆積 ,  調製 ,  研究