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J-GLOBAL ID：201802290802260530   整理番号：18A1698641

光電吸収体用のバンドギャップ可変Zn₃N₂-Mg₃N₂混晶

Bandgap tunable Zn₃N₂-Mg₃N₂ alloy for photovoltaic absorber

著者 (5件)： CAO X. (Chubu Univ.) ,  WU P. (Univ. Victoria) ,  MATSUURA K. (Chubu Univ.) ,  TIEDJE T. (Univ. Victoria) ,  YAMADA N. (Chubu Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-234B-5  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *固溶体 ,  *亜鉛化合物 ,  窒化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  吸収体 ,  光電効果 ,  *バンドギャップ ,  可視吸収スペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  *半導体薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム
準シソーラス用語： 窒化亜鉛 ,  窒化マグネシウム ,  光電吸収体 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  YSZ【セラミック】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： バンドギャップ ,  可変 ,  混晶