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J-GLOBAL ID：201802290809838207   整理番号：18A0585165

市販部品に基づくパルスパワー回路小型10kV,2ns立ち上がり時間【Powered by NICT】

A Compact, 10-kV, 2-ns Risetime Pulsed-Power Circuit Based on Off-the-Shelf Components

著者 (1件)： Kesar Amit S. (Applied Physics Division, Soreq Nuclear Research Center, Yavne, Israel)
資料名： IEEE Transactions on Plasma Science  (IEEE Transactions on Plasma Science)
巻： 46  号： 3  ページ： 594-597  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0036B  ISSN： 0093-3813  CODEN： ITPSBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ秒領域における高電圧パルスを生成するためのドリフトステップ回復ダイオード(DSRD)の使用は,主要なスイッチを必要とする。主スイッチは順方向におけるキャリアとDSRDを,逆方向で急速にDSRDをパルス。負荷ピーク電圧と供給電圧の間の高圧縮比を達成するために高速パルスが必要である。,典型的には,磁気スイッチを用いた低速(十ナノ秒)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の組み合わせ,高速(数ナノ秒)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのいずれかがこの目的のために使用されている。ここで提案した回路を四種類の段階を特徴としている。第一段階は,予充電コンデンサと直列にインダクタから構成されている,IGBTはDSRDポンピングに使用した。第二段階は,最初のものと同様であり,負の方向にプリチャージされそのキャパシタの例外であった。DSRDパルスのための強化された性能を提供し,磁気スイッチの必要性を軽減する。第三および第四段階はDSRDから成り,小さな電圧バイアスはポンピング電荷のバランスを可能にする。市販市販部品を用いた10.3kV,立上り時間1.85nsの出力を持つコンパクトな,100×50×30mm,回路を提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： コンデンサ ,  磁気 ,  *パルス ,  高速度 ,  ナノ秒 ,  充電 ,  電圧 ,  スイッチ ,  IGBT ,  ダイオード ,  電荷 ,  半導体 ,  バイアス
準シソーラス用語： *パルスパワー ,  *立上り時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： プラズマ装置  (BJ02082I) ,  その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (2件)： パルスパワー ,  立ち上がり時間