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J-GLOBAL ID：201802290941650632   整理番号：18A1082893

ケイ酸ジルコニウム薄膜の調製と耐酸化性【JST・京大機械翻訳】

Preparation of Zirconium Silicate Film and its Oxidation Resistance

著者 (7件)： Tan Guangfan (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景徳鎮,333403) ,  Hu Qing (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景徳鎮,333403) ,  Jiang Weihui (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,江西 景徳鎮 333403;国家日用及建筑陶瓷工程中心,江西 景徳鎮 333001) ,  Liu Jianmin (国家日用及建筑陶瓷工程中心,江西 景徳鎮,333001) ,  Feng Guo (国家日用及建筑陶瓷工程中心,江西 景徳鎮,333001) ,  Chen Ting (国家日用及建筑陶瓷工程中心,江西 景徳鎮,333001) ,  Wu Qian (国家日用及建筑陶瓷工程中心,江西 景徳鎮,333001)
資料名： Taoci Xuebao  (Taoci Xuebao)
巻： 38  号： 6  ページ： 868-873  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3674A  ISSN： 1000-2278  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 四塩化ジルコニウム(ZrCl4)とテトラエチルオルトシリカート(TEOS)は,それぞれジルコニウムとケイ素源であった。ZrSiO4膜のモルフォロジーと膜厚に及ぼす前駆体濃度,蒸着時間,テトラブチルアンモニウムブロミド(TBAB)の影響を,XRDとSEMによって研究した。結果は,前駆体濃度が0.6mol/L,4回のめっき膜が7wt%であることを示した。%のTBABは,SiC基板上に滑らかで,緻密で,無亀裂で,約300nmの厚さのZrSiO4膜を形成した。この薄膜は1450°Cで良好な高温耐酸化性を有する。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  *ジルコニウム ,  モルフォロジー ,  めっき皮膜 ,  X線回折 ,  膜厚 ,  塩化ジルコニウム ,  *薄膜 ,  前駆体 ,  蒸着 ,  *耐酸化性
準シソーラス用語： *ケイ酸ジルコニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： zirconium silicate ,  thin film ,  non-hydrolytic sol-gel method ,  oxidation resistance

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケイ酸ジルコニウム ,  薄膜 ,  調製 ,  耐酸化性