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J-GLOBAL ID：201802291010351127   整理番号：18A1767517

アームチェア方向に沿った二軸歪と一軸歪下の二次元GeSn合金のバンドギャップ制御の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical study of the bandgap regulation of a two-dimensional GeSn alloy under biaxial strain and uniaxial strain along the armchair direction

著者 (4件)： Huang Wenqi (School of Applied Science, Beijing Information Science & Technology University, Beijing, 100101, China. [e-mail]) ,  Yang Hong ,  Cheng Buwen ,  Xue Chunlai
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 36  ページ： 23344-23351  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,二次元ゲルマニウム-スズ(2D-GeSn)合金は,直接バンドギャップを有すると予測されており,このバンドギャップはSn濃度を変えることにより調整できるので,かなりの注目を集めている。しかし,合金化Snの調整効率はまだ比較的低く,2D-GeSn中のSnの合金化は困難である。この問題に取り組むために,異なる歪タイプ(アームチェア方向に沿った二軸および一軸歪を含む)および圧縮および引張歪を含む2D-GeSnに対するバンド構造を,GGA+U法および特別な準ランダム構造を組み合わせた密度汎関数理論に基づく第一原理法を用いて調べた。引張歪に対して,結果は二軸および一軸歪2D-GeSn合金の両方が直接バンドギャップを示し,それらのバンドギャップは歪強度が増加すると減少することを示した。二軸歪に対するバンドギャップ同調効率は一軸歪に対するそれよりも高い。圧縮歪については,二軸および一軸歪2D-GeSn合金の両方が大きな間接バンドギャップ領域を示し,それらのバンドギャップは歪強度が増加すると増加した。しかし,それらの分布形状はわずかに異なる。それらの間の差の物理的起源を明らかにするために,2D-GeSnに対する投影バンド,状態の投影密度,結合長および結合角を解析した。全体として,これらの結果は,合金化Snの組合せと外部歪の適用が必要なSn濃度を低減するための良い方法であり,これが2D-GeSnの歪エネルギー帯工学に対する包括的な理論的指針を提供することを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *合金 ,  スズ ,  同調 ,  *二次元 ,  合金化 ,  *二軸 ,  密度汎関数法 ,  *バンドギャップ ,  第一原理
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  引張歪 ,  *一軸歪 ,  間接バンドギャップ ,  *二軸ひずみ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二軸歪 ,  一軸歪 ,  バンドギャップ ,  理論 ,  研究