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J-GLOBAL ID：201802291012568631   整理番号：18A1394658

ナノ構造SnO_2における異常な高誘電定数に対する面内酸素空孔に富む非化学量論層の重要性【JST・京大機械翻訳】

Significance of in-plane oxygen vacancy rich non-stoichiometric layer towards unusual high dielectric constant in nano-structured SnO₂

著者 (2件)： Sahu Binaya Kumar (Surface and Nanoscience Division, Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam, 603102, India) ,  Das A. (Surface and Nanoscience Division, Materials Science Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Homi Bhabha National Institute, Kalpakkam, 603102, India)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 103  ページ： 60-65  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型SnO_2の異常に高い誘電率に対する可能な寄与に対する非化学量論層の影響を考察した。約2.4nmのSnO_2量子ドット(QD)から合成したSnO_2ナノ粒子の成長中の酸素欠乏および酸素リッチ環境は,種々の欠陥状態の創出を可能にした。しかし,それはNPの類似次元をもたらす。欠陥状態は他の電気的性質を含む誘電特性の強い変化をもたらす。Raman分光法と光ルミネセンス測定を用いて,酸素空孔関連欠陥を分光学的に解明した。本研究は,SnO_2の酸素空格子点と異常に高い誘電率の間の妥当な相関を提供した。面内酸素空孔は誘電値の増大の原因であることが分かった。巨大誘電率に含まれる現象の理解は,巨視的デバイス応用の調整と工学に利用できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  量子ドット ,  Raman分光法 ,  電気的性質 ,  *誘電率 ,  *ナノ構造 ,  誘電性 ,  ナノ粒子 ,  酸素欠乏 ,  *非化学量論
準シソーラス用語： 巨大誘電率 ,  分光学 ,  ルミネセンス測定 ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 誘電特性 ,  非化学量論 ,  面内酸素空孔 ,  Raman分光法 ,  光ルミネセンス ,  IBLC

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ構造 ,  誘電定数 ,  酸素空孔 ,  非化学量論 ,  重要性