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J-GLOBAL ID：201802291190385421   整理番号：18A1810116

シリコンフォトニクス回路における不揮発性強誘電体アクチュエータの集積【JST・京大機械翻訳】

Integration of Non-Volatile Ferroelectric Actuators in Silicon Photonics Circuits

著者 (7件)： Maqueira-Albo Isis (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy) ,  Varotto Sara (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy) ,  Asa Marco (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy) ,  Rinaldi Christian (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy) ,  Cantoni Matteo (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy) ,  Bertacco Riccardo (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy) ,  Morichetti Francesco (Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria Politecnico di Milano, Milano, 20133, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICTON  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンフォトニック導波路に集積した不揮発性位相アクチュエータを実現するための新しいアプローチを検討した。パルスレーザ蒸着(PLD)により成長させた多結晶BaTiO_3(poly-BTO)の強誘電応答を利用することを目的とし,そのドメインを外部電場を印加することにより再配向し,屈折率の大きな変化を誘起した。強誘電体材料の分極残留により,このような屈折率変化は電場がオフになると部分的に維持される。ポリBTOに関する実験結果は,10~2のオーダーでポリBTO屈折率の不揮発性変化を達成する可能性を示し,それは強誘電分域の90°再配向と一致した。また,低い付加的伝搬損失(<1dB/mm)をもつSi導波路に薄いポリBTO膜を集積し,提案したポリBTO Siフォトニクスプラットフォームによるフォトニック集積回路(PICs)の実現を可能にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電分域 ,  ケイ素 ,  導波路 ,  *強誘電体 ,  分極 ,  *非揮発性 ,  多結晶 ,  パルスレーザ蒸着 ,  位相 ,  屈折率 ,  再配向 ,  *アクチュエータ ,  電場
準シソーラス用語： 外部電場 ,  誘電応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンフォトニクス ,  不揮発性 ,  強誘電体 ,  アクチュエータ ,  集積