(001)配向基板上のFePtエピタキシャル磁性薄膜におけるL1<sub>0</sub>秩序結晶の成長

Futamoto M.; Shimizu T.; Nakamura M.; Ohtake M.

文献

J-GLOBAL ID：201802291205166549 整理番号：18A1758567

(001)配向基板上のFePtエピタキシャル磁性薄膜におけるL1₀秩序結晶の成長

Growth of L1₀-ordered Crystal in FePt Epitaxial Magnetic Thin Films on (001) Oriented Substrates

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A1758567&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A1758567&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=U0776A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 42 号： 5 ページ： 102-109(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： U0776A ISSN： 1882-2932 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

低温(200°C)膜形成とそれに続く高温(600°C)アニーリングから成る二段階法を用いて(001)配向基板上に作製したFePt薄膜に対して,高分解能透過型電子顕微鏡(TEM)により,MgOキャップ層と基板とのL1₀秩序FePt膜構造への影響を調べた。TEM観察は,2nm厚MgOキャップ層を有するMgO(001)基板上のA1-FePt膜(10nm厚さ)の結晶格子が基板表面の横方向に歪み,アニーリングにより膜構造はc軸が垂直に配向したL1₀(001)バリアントから成るL1₀秩序相に変化することを示した。L1₀-FePt(2nm)/VN(001)試料中のFePt膜はL1₀-(001)バリアントから成り,一方,L1₀-FePt(2nm平均厚)/MgO(001)試料のFePt膜はL1₀(001)バリアントに加えて面内c軸を持つL1₀(100),(010)のバリアントを含んでいた。基板物質との格子不整合は,L1₀-FePt結晶における不整合転位の導入と格子弯曲よって減少した。バリアント構造は,高温アニーリング過程におけるL1₀結晶核形成段階でのA1-FePt膜における格子歪によって影響されると理解される。実験結果に基づいて,L1₀結晶の核形成と成長を含む無秩序A1から秩序化L1₀への相変態を説明するモデルを提案した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , , , , , ,
, , , , ,

著者キーワード (12件)： , , , , , , , , , , ,

金属結晶の磁性 , 金属薄膜

引用文献 (25件)：

1) R. F. C. Farrow, D. Weller, R. F. Marks, and M. F. Toney, Appl. Phys. Lett., 69, 1166 (1996).
2) J. S. Chen, Yingfan Xu, and J. P. Wang, J. Appl. Phys., 93, 1661 (2003).
3) L. J. Zhang, J. W. Cai, and H. Y. Pan, J. Appl. Phys., 102, 013905 (2007).
4) T. Suzuki, N. Honda, and K. Ouchi, J. Appl. Phys.,85, 4301, (1999).
5) K. F. Dong, H. H. Li, and J. S. Chen, J. Appl. Phys., 113, 233904 (2013).

, , , ,

前のページに戻る

(001)配向基板上のFePtエピタキシャル磁性薄膜におけるL10秩序結晶の成長

(001)配向基板上のFePtエピタキシャル磁性薄膜におけるL1₀秩序結晶の成長