文献

J-GLOBAL ID：201802291224132012   整理番号：18A1211065

シリコン基板上の645V準垂直GaN電力トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

645 V quasi-vertical GaN power transistors on silicon substrates

著者 (3件)： Liu Chao (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Khadar Riyaz Abdul (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Matioli Elison (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 240-243  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,MOCVDにより6インチシリコン基板上に成長させた6.7μm厚n-p-nヘテロ構造から成るGaN-on-Si垂直トランジスタを示した。作製した垂直トレンチゲートMOSFETは,3.3Vのしきい値電圧と10~8以上のオン/オフ比をもつEモード動作を示した。6.8mn-cm2の比オン抵抗と645Vの高オフ状態破壊電圧を達成した。これらの結果は,次世代の費用効果の高いパワーエレクトロニクスのためのGaN-on-Siプラットフォームの大きな可能性を示している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  オン抵抗 ,  MOSFET ,  *トランジスタ ,  パワーエレクトロニクス ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD
準シソーラス用語： 費用対効果 ,  絶縁破壊電圧 ,  オフ状態 ,  閾値電圧 ,  トレンチゲート ,  ヘテロ構造 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン基板 ,  垂直 ,  GaN ,  電力トランジスタ