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J-GLOBAL ID:201802291292548231   整理番号:18A0150425

光応答性n型シリコン膜の液体すず支援溶融塩電着【Powered by NICT】

Liquid-Tin-Assisted Molten Salt Electrodeposition of Photoresponsive n-Type Silicon Films
著者 (8件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: ROMBUNNO.201703551  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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溶融塩からの電着により直接シリコン膜の作製は,プロセスとこれに伴う低い資本コストと運転コストの単純性のために光起電力と光電子デバイスの製造における実用性を持つであろう。,緻密で均一な多結晶シリコン膜(厚さ60μmまで)は0.020 0.035wt%すずを含む溶融KCl-KF-1mo1%K_2SiF_6塩から650°Cで黒鉛シート基板上に電着した。このような高品質のすずをドープしたシリコン膜の成長は,溶融塩電解質中のすずの媒介効果に起因する。膜の生成のために提案した四段階機構:核形成,島形成,島凝集,および膜の形成。電着したすずをドープしたシリコン膜はn型半導体挙動を示した。液体接合光電気化学測定では,この材料は市販のn型Siウエハの約38 44%光電流を生成する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電気化学反応  ,  セラミック・陶磁器の製造 

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