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J-GLOBAL ID：201802291310610001   整理番号：18A0995411

狭バンドギャップPbS QDベース太陽光発電のプラズモン増強起電力【JST・京大機械翻訳】

Plasmonically enhanced electromotive force of narrow bandgap PbS QD-based photovoltaics

著者 (5件)： Li Xiaowei (Department of Chemistry, Faculty of Science, Hokkaido University, Sapporo, 060-0810, Japan. [e-mail]) ,  McNaughter Paul D. ,  O’Brien Paul ,  Minamimoto Hiro ,  Murakoshi Kei
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 21  ページ： 14818-14827  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光起電力の起電力密度を定義するために,光起電力の起電力は重要である。半導体量子ドット(QD)により示される多重励起子発生(MEG)は,単一光子を吸収するとき,1個以上の電子-正孔対を生成する能力により,光起電力性能を増強する大きな可能性を有する。しかし,MEMSベースの光起電力においてさえ,QDの伝導バンド端の固有の電気化学ポテンシャルのために,起電力を修正する限界が存在する。ここでは,二酸化チタン薄膜に埋め込まれたプラズモン活性なAuナノ粒子から成るPbS QD増感電極を構築することにより,著しく改善された光起電力性能を報告する。起電力の著しい増強は,狭いバンドギャップエネルギー(E_g=0.9eV)をもつ,効果的なPbS QDを用いた光電流発生の開始電位によって特徴付けられる。局在表面プラズモン共鳴(LSPR)と結合することにより,このようなQDは,可視光照射下で,より大きなバンドギャップエネルギー(E_g=1.1および1.7eV)をもつ他のQD上で,改善された光応答および最高出力密度を示した。波長依存開始ポテンシャルと出力密度は,MEGとLSPR間のエネルギー重なりにより励起された電子密度の増大により,効果的な電子注入を示唆した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 波長依存性 ,  電位 ,  *プラズモン ,  増感 ,  光起電力 ,  *狭帯域 ,  光電流 ,  *起電力 ,  *硫化鉛 ,  伝導バンド ,  電子正孔対 ,  電子密度 ,  *太陽光発電
準シソーラス用語： 可視光照射 ,  金ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 狭バンド ,  ギャップ ,  PbS ,  太陽光発電 ,  プラズモン ,  増強 ,  起電力