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J-GLOBAL ID：201802291366605136   整理番号：18A0999961

B-N欠陥を持つTiドープBNナノチューブの水素飽和限界:DFT計算からの洞察【JST・京大機械翻訳】

Hydrogen saturation limit of Ti-doped BN nanotube with B-N defects: An insight from DFT calculations

著者 (2件)： Mananghaya Michael Rivera (School of Science and Engineering, Ateneo de Manila University, Katipunan Ave, Quezon City, 1108 Metro Manila, Philippines) ,  Mananghaya Michael Rivera (DOST-ASTHRDP, PCIEERD & Division IX-NRCP, Gen. Santos Ave., Bicutan, Taguig City 1631, Philippines)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 43  号： 22  ページ： 10368-10375  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： B-N欠陥を有するTi修飾(10,0)単層BNナノチューブ(BNNTs)を密度汎関数理論(DFT)により完全に調べた。DFT定式化によると,Ti-BNNTsに対して見出されたHOMO-LUMOギャップは,ワイドギャップ半導体元BNNTのそれと比較して小さい。Ti原子はクラスタを形成せず,側壁の外部表面に突出する。計算により,Ti-BNNT集合体は小分子を引き付けることができ,それはH_2分子に対して良好な親和性を有することが示唆された。7個までのH_2は,機能化Tiの部分的なカチオン性とBNNT表面で示されたヘテロポーラ結合により,準分子的にシステムに部分的に付着できる。Ti-BNNTsによるH_2の結合エネルギーは,H_2貯蔵のための最適範囲内であった。独特の電子構造は吸着によってほとんど乱されず,(H_2)_7xTi_xBNNTシステムの水素貯蔵容量はエネルギー部門によって規定された仕様に適合している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  準分子 ,  *ナノチューブ ,  単一層 ,  定式化 ,  *チタン ,  電子構造 ,  *密度汎関数法 ,  水素吸蔵 ,  *水素 ,  小分子 ,  *ドーピング ,  クラスタ ,  カチオン
準シソーラス用語： ワイドギャップ半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 吸着 ,  密度汎関数理論 ,  水素貯蔵 ,  TiドープBNナノチューブ

分類 (2件)： 気体燃料の輸送,供給,貯蔵  (YE02060M) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： N欠陥 ,  Ti ,  ドープ ,  BN ,  ナノチューブ ,  水素 ,  飽和 ,  限界 ,  DFT計算 ,  洞察