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J-GLOBAL ID：201802291508230860   整理番号：18A2108617

Siプラットフォーム上の膜InGaAsP移相器と水素フリーSiN導波路を用いた不均一集積Mach-Zehnder変調器【JST・京大機械翻訳】

Heterogeneously Integrated Mach-Zehnder Modulator Using Membrane InGaAsP Phase Shifter and Hydrogen-Free SiN Waveguide on Si Platform

著者 (8件)： Hiraki Tatsurou (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Aihara Takuma (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Fujii Takuro (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Takeda Koji (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Tsuchizawa Tai (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Kakitsuka Takaaki (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Fukuda Hiroshi (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation) ,  Matsuo Shinji (NTT Device Technology Labs, NTT Corporation)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ECOC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300μmのIong膜InGaAsP移相器を有するMach-Zehnder変調器は,Cバンドにおいて0.3Vcmと40Gbit/sのNRZ変調のV,Lを示した。低温堆積水素フリーSiN導波路はSiプラットフォーム上にMach-Zehnder干渉計を構築することを可能にする。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *移相器 ,  *導波路 ,  低温 ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  *ケイ素 ,  *変調器
準シソーラス用語： *Mach-Zehnder変調器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (10件)： Si ,  プラットフォーム ,  InGaAsP ,  移相器 ,  水素 ,  SiN ,  導波路 ,  不均一 ,  集積 ,  Mach-Zehnder変調器