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J-GLOBAL ID：201802291552797587   整理番号：18A0651346

ゾル-ゲル法によるSiO2材料の調製とそのマイクロ波誘電特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Microwave dielectric properties of silica materials prepared by sol-gel method

著者 (6件)： Lv Xuepeng (南京工程学院 材料工程学院,江蘇 南京 211167;南京工程学院 江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,江蘇 南京 211167;南京航空航天大学 材料科学与技術学院,江蘇 南京 210016) ,  Hu Jie (南京工程学院 江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,江蘇 南京,211167) ,  Chen Xian (南京工程学院 江蘇省先進結構材料与応用技術重点実験室,江蘇 南京,211167) ,  Zhang Wenyu (南京航空航天大学 材料科学与技術学院,江蘇 南京,210016) ,  Zheng Yong (南京航空航天大学 材料科学与技術学院,江蘇 南京,210016) ,  Dong Zuowei (南京航空航天大学 材料科学与技術学院,江蘇 南京,210016)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 36  号： 12  ページ： 11-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 非晶質SiO2粉末をゾル-ゲル法によって調製し,種々の溶液比率によって得られた粉体の粒度と分散性に及ぼす影響を研究した。結果は以下を示した。H_2OとTEOSのモル比は20であった。1と40:1の場合,分散性の良い非晶質SiO2粉末を調製でき,その粒度はそれぞれ700nmと120nmであった。これらの結果に基づき,SiO2材料の焼結特性とマイクロ波誘電特性に及ぼす異なる原料粉末の影響を研究した。研究により;粉末の粒度が小さく、SiO2材料の焼結温度を下げ、その相対密度を高め、その結晶化現象を抑制することができる。焼結温度が1050~1200°Cの時,SiO_2材料の相対誘電率は2.50~3.75,Q_f値は9850~61272GHz,τf値は±15×10~6/°C(温度範囲は25~85°C)であった。これはマイクロ波誘電体基板の製作に適している。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相対密度 ,  粒度 ,  モル比 ,  焼結性 ,  *マイクロ波 ,  結晶化 ,  *複合材料 ,  *二酸化ケイ素 ,  誘電率 ,  非晶質 ,  分散度 ,  粉体
準シソーラス用語： *一酸化ケイ素 ,  焼結温度 ,  *マイクロ波誘電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： sol-gel method ,  silica ,  sintering ,  microstructure ,  phase composition ,  microwave dielectric properties

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル ,  ゲル ,  SiO2 ,  調製 ,  マイクロ波誘電特性 ,  研究