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J-GLOBAL ID：201802291562125980   整理番号：18A1575204

マルチチップLEDデバイスの熱特性解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Thermal Characteristics of A Multichip Light-emitting Diodes Device

著者 (7件)： Chen Huanting (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000) ,  Chen Fuchang (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000) ,  He Yang (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000) ,  Lin Shuo (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000) ,  Xiong Chuanbing (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000) ,  Zhou Jinrong (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000) ,  Chen Cihai (min南師范大学 物理与信息工程学院,福建 zhang州,363000)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 39  号： 5  ページ： 751-756  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： チップ間に存在する熱結合効果のため、マルチチップLEDデバイス内部には複雑な熱規律が存在する。マルチチップLEDの熱モデルを用いて,マルチチップLEDデバイスの内部熱抵抗分岐経路を記述し,次に,有限体積数値計算により,マルチチップLEDデバイスの接合温度を計算した。実験により、単一チップ、2チップ、3チップ及び4チップの負荷の異なる電力(0.31.2W)の場合、接合温度の測定値と計算値の最小誤差値は0.8%、最大誤差値は6.8%、平均誤差は3.4%であった。計算結果と測定結果は基本的に一致し、従って、マルチチップLEDの熱学模型はマルチチップLEDデバイスの熱学性能の評価に重要な参考作用を提供し、多チップLED熱抵抗内部チップ間の熱結合効果の全面分析に役立つ。実験結果は,マルチチップLEDデバイスの内部接合温度を正確に予測するための重要な理論的基礎を提供した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力 ,  数値計算 ,  *熱抵抗 ,  熱特性 ,  有限体積法
準シソーラス用語： 計算値 ,  接合温度 ,  熱モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： multichip light-emitting diodes device ,  thermal characteristics ,  thermal coupling effect ,  junction temper-ature ,  finite volume method

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： マルチ ,  チップLED ,  熱特性 ,  解析