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J-GLOBAL ID：201802291584209910   整理番号：18A0726284

柔軟なイオン感応電界効果トランジスタのコンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Compact model for flexible ion-sensitive field-effect transistor

著者 (2件)： Vilouras Anastasios (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) group, Electronics and Nanoscale Engineering Division, School of Engineering, University of Glasgow, G12 8QQ, UK) ,  Dahiya Ravinder (Bendable Electronics and Sensing Technologies (BEST) group, Electronics and Nanoscale Engineering Division, School of Engineering, University of Glasgow, G12 8QQ, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： BioCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,生物医学的応用のための将来的な屈曲可能集積回路とマイクロシステムに向けて,イオン敏感電界効果トランジスタ(ISFET)に及ぼす曲げ効果の理論的モデリングとシミュレーションを提示した。異なる曲げ条件の下での閾値電圧とドレイン電流の変化とデバイスのチャネルの方向に基づいて,曲げ可能なISFETマクロモデルをVerilog-Aに実装し,Cadence環境にコンパイルした。デバイスの挙動に及ぼす曲げの影響を,pHのユーザ定義範囲にわたってシミュレートし,標準的な0.18μm CMOS技術における感度を評価した。ISFETの移動曲線(Id-Vg)は,引張に対して4.46%まで,pH2において圧縮曲げ応力に対して最大5.15%まで変化し,その平面対応物に対してpH12において最大4.99%,圧縮曲げ応力に対して5.61%まで変化し,一方,デバイスの感度は曲げ応力のそれぞれに対して同じであることが分かった。提案したモデルを他のマクロモデルにより得られた結果と文献における実験結果との比較により検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  曲げ応力 ,  ISFET ,  *FET【トランジスタ】 ,  引張 ,  モデリング ,  チャネル ,  CMOS
準シソーラス用語： Verilog ,  マクロモデル ,  ドレイン電流 ,  閾値電圧 ,  生物医学的応用 ,  *コンパクトモデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン ,  電界効果トランジスタ ,  コンパクトモデル