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J-GLOBAL ID：201802291611023415   整理番号：18A0312928

ファンデルワールスヘテロ婿造の作製と量子輸送現象

Quantum Transport in van der Waals Heterostructures of 2D Materials

著者 (1件)： 町田友樹 (東大 生産技研)
資料名： 村田学術振興財団年報  (Annual Report of the Murata Science Foundation)
号： 31 12月  ページ： 166-173  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： L5491A  ISSN： 0919-3383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・グラフェンや二次元層状物質をvan der Waals力で接合したvan der Waals接合の作製と量子輸送現象を研究。
・以下の4種類のデバイスを作製し,研究。1)グラフェン/MoS₂接合を利用した縦型電界効果トランジスタの実現。2)Fe_0.25TaS₂/Fe_0.25TaS₂ van der Waals磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗効果の観測。3)NbSe₂/NbSe₂ van der Waals接合におけるJosephson効果の観測。4)pnp接合における電子波干渉効果の観測。
・van der Waals接合は,1)格子整合が必要でない,2)接合を構成する原子層は極めて選択肢が広い,3)任意の原子層をディジタル的に組合せてvan der Waals超格子が作製できる特徴を持つことを指摘。

シソーラス用語： 積層構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *グラフェン ,  *硫化モリブデン ,  硫化物 ,  タンタル化合物 ,  鉄化合物 ,  トンネル接合 ,  トンネル効果 ,  磁気抵抗効果 ,  セレン化ニオブ ,  *Josephson接合 ,  Josephson効果 ,  *PNP接合 ,  効果 ,  素子構造
準シソーラス用語： *van der Waalsヘテロ構造 ,  *トンネル磁気抵抗効果 ,  ヘテロ構造 ,  *磁気トンネル接合 ,  *電子波干渉効果

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の接合  (BM03088W) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

引用文献 (8件)：

• R. Moriya, T. Yamaguchi, Y. Inoue, S. Morikawa, Y. Sata, S. Masubuchi, and T. Machida, Appl. Phys. Lett. 105, 083119 (2014).
• T. Yamaguchi, R. Moriya, Y. Inoue, S. Morikawa, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, and T. Machida, Appl. Phys. Lett. 105, 223109 (2014).
• R. Moriya, T. Yamaguchi, Y. Inoue, Y. Sata, S. Morikawa, S. Masubuchi, and T. Machida, Appl. Phys. Lett. 106, 233103 (2015).
• Y. Sata, R. Moriya, S. Morikawa, N. Yabuki, S. Masubuchi, and T. Machida, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 04DJ04 (2015).
• Y. Sata, R. Moriya, S. Morikawa, N. Yabuki, S.Masubuchi, and T. Machida, Appl. Phys. Lett. 107, 023109 (2015).

タイトルに関連する用語 (2件)： 作製 ,  量子輸送現象