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J-GLOBAL ID：201802291690485279   整理番号：18A1777537

第VI族元素からの二次元セレンおよびテルレンの熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric properties of two-dimensional selenene and tellurene from group-VI elements

著者 (4件)： Lin Chensheng (State Key Laboratory of Structural Chemistry, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou 350002, China. [e-mail]) ,  Cheng Wendan ,  Chai Guoliang ,  Zhang Hao
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 37  ページ： 24250-24256  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層二次元(2D)材料は,グラフェンの発見後のそれらの新しい電子挙動のために非常に魅力的になった。ここでは,密度汎関数理論計算を用いることにより,単層2Dセレリウム(セレネン)とテルル(テルルレン)の電子構造と熱電特性を報告する。セレンとテルレンの両方は3フォノン制限熱伝導率を示した。テルルレンに対する顕著な非調和フォノン散乱過程は,これまでの2D単一元素材料の中で最低の格子熱伝導率を示す。それらの特別な正方形単位セルはジグザグおよびアームチェア方向に沿って高度に異方的な電子構造を生じる。アームチェア方向に沿った大きな有効質量とSeebeck係数は,熱性能がジグザグ方向のそれより良いことを示唆した。スピン-軌道結合の効果はバンドギャップを増加させ,テルルレンにとって重要であることが分かった。これらの研究は,将来,セレンとテルレンの熱電特性を調整する方法を提供する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  熱伝導率 ,  フォノン ,  *セレン ,  テルル ,  折れ線 ,  *二次元 ,  有効質量 ,  単一層 ,  バンドギャップ ,  グラフェン
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  フォノン散乱 ,  格子熱伝導率 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 元素 ,  セレン ,  テルレン ,  熱電特性