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J-GLOBAL ID：201802291839929936   整理番号：18A1432967

高効率光電気化学性能と電極触媒水素発生のためのMOS_2量子ドット@TiO_2ナノチューブアレイの電気化学的構築におけるヘテロ接合相互作用の増強【JST・京大機械翻訳】

Boosting heterojunction interaction in electrochemical construction of MoS₂ quantum dots@TiO₂ nanotube arrays for highly effective photoelectrochemical performance and electrocatalytic hydrogen evolution

著者 (11件)： Dong Jianing (National Engineering Laboratory for Modern Silk, College of Textile and Clothing Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Zhang Xinnan (National Engineering Laboratory for Modern Silk, College of Textile and Clothing Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Huang Jianying (College of Chemical Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350116, PR China) ,  Gao Shouwei (National Engineering Laboratory for Modern Silk, College of Textile and Clothing Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Mao Jiajun (National Engineering Laboratory for Modern Silk, College of Textile and Clothing Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Cai Jingsheng (National Engineering Laboratory for Modern Silk, College of Textile and Clothing Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Chen Zhong (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore) ,  Sathasivam Sanjayan (Department of Chemistry, University College London, London WC1H 0AJ, United Kingdom) ,  Carmalt Claire J. (Department of Chemistry, University College London, London WC1H 0AJ, United Kingdom) ,  Lai Yuekun (National Engineering Laboratory for Modern Silk, College of Textile and Clothing Engineering, Soochow University, Suzhou 215123, PR China) ,  Lai Yuekun (College of Chemical Engineering, Fuzhou University, Fuzhou 350116, PR China)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 93  ページ： 152-157  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS_2量子ドット(QD)を,電気泳動堆積(EFED)と電気化学的剥離を組み合わせる容易な戦略により,TiO_2ナノチューブアレイ(NTAs)上に負荷した。最適MoS_2@TiO_2NTAsは,93mVdec-1のTafel勾配を有する低い開始電位(76mV対RHE)を示した。報告した合成戦略は,優れた光電特性を有する他の二次元層状材料と半導体複合材料のヘテロ接合構築に適している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元 ,  *光電気化学 ,  *電極触媒 ,  *相互作用 ,  電位 ,  半導体 ,  *電気化学 ,  *ヘテロ接合 ,  電気泳動堆積 ,  *量子ドット ,  複合材料 ,  積層材料
準シソーラス用語： *ナノチューブアレイ ,  *水素発生 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MOS_2量子ドット ,  TiO_2ナノチューブアレイ ,  電気化学的剥離 ,  電気泳動析出 ,  水素発生反応

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (11件)： 高効率 ,  光電気化学 ,  電極触媒 ,  水素発生 ,  量子ドット ,  ナノチューブアレイ ,  電気化学 ,  構築 ,  ヘテロ接合 ,  相互作用 ,  増強